发明名称 |
Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren zu dessen Herstellung |
摘要 |
Die Erfindung betrifft ein strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement mit einem strahlungsdurchlässigen Substrat (1), auf dessen Unterseite eine strahlungserzeugende Schicht (2) angeordnet ist, bei dem das Substrat (1) geneigte Seitenflächen (3) aufweist, bei dem der Brechungsindex des Substrats (1) größer ist als der Brechungsindex der strahlungserzeugenden Schicht, bei dem aus dem Brechungsindexunterschied ein unbeleuchteter Substratbereich (4) resultiert, in den keine Photonen unmittelbar aus der strahlungserzeugenden Schicht eingekoppelt werden, und bei dem das Substrat (1) im unbeleuchteten Bereich im wesentlichen senkrechte Seitenflächen (5) aufweist. Das Bauelement hat den Vorteil, daß es mit einer besseren Flächenausbeute aus einem Wafer hergestellt werden kann.
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申请公布号 |
DE10253911(A1) |
申请公布日期 |
2004.04.08 |
申请号 |
DE20021053911 |
申请日期 |
2002.11.19 |
申请人 |
OSRAM OPTO SEMICONDUCTORS GMBH |
发明人 |
HAHN, BERTHOLD;FEHRER, MICHAEL;EISERT, DOMINIK;BAUR, JOHANNES;HAERLE, VOLKER |
分类号 |
H01L33/20;(IPC1-7):H01L33/00;H01L21/304 |
主分类号 |
H01L33/20 |
代理机构 |
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代理人 |
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主权项 |
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地址 |
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