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Bei einem Brechungsindex-gekoppelten DFB-Halbleiterlaser mit einer L/2-Phasenverschiebungs-DFB-Struktur, die ein Brechungsindex-gekoppeltes Beugungsgitter auf einer aktiven Schicht aufweist, ist ein Tastverhältnis von einem Abschnitt mit einem hohen Brechungsindex zu einem Abschnitt mit niedrigem Brechungsindex eines Beugungsgitters in einem hinteren Bereich so eingestellt, dass es größer ist als das eines Beugungsgitters in einem vorderen Bereich. Auf diese Weise ist ein Kopplungskoeffizient kappa2 in einem vorderen Bereich eines herkömmlichen Halbleiterlasers so eingestellt, dass er kleiner ist als ein Kopplungskoeffizient kappa1 in einem hinteren Bereich, und weist darüber hinaus einen Wert auf, der größer als 100 cm·-1· ist.
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