发明名称 |
Niederspannungs-Eintransistor-FLASH-EEPROM-Zelle mit Fowler-Nordheim Programmier- und Löschung |
摘要 |
|
申请公布号 |
DE69530527(T2) |
申请公布日期 |
2004.04.08 |
申请号 |
DE19956030527T |
申请日期 |
1995.02.22 |
申请人 |
ROHM CORP., SAN JOSE |
发明人 |
CHANG, SHANG-DE;CHANG, JIA-HWANG;CHOW, EDWIN |
分类号 |
G11C16/04;G11C16/02;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/16;G11C16/34;G11C17/00;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788 |
主分类号 |
G11C16/04 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|