发明名称 Niederspannungs-Eintransistor-FLASH-EEPROM-Zelle mit Fowler-Nordheim Programmier- und Löschung
摘要
申请公布号 DE69530527(T2) 申请公布日期 2004.04.08
申请号 DE19956030527T 申请日期 1995.02.22
申请人 ROHM CORP., SAN JOSE 发明人 CHANG, SHANG-DE;CHANG, JIA-HWANG;CHOW, EDWIN
分类号 G11C16/04;G11C16/02;G11C16/10;G11C16/14;G11C16/16;G11C16/34;G11C17/00;H01L21/8247;H01L27/115;H01L29/788;H01L29/792;(IPC1-7):H01L29/788 主分类号 G11C16/04
代理机构 代理人
主权项
地址