发明名称 | 磁场检测传感器 | ||
摘要 | 本发明包括一种磁场检测传感器。磁场检测传感器包括具有第一检测层(220)和第一基准层(210)的第一磁性传感器(200)。具有第二检测层(222)和第二基准层(212)的第二磁性传感器(202)。第一磁性传感器(200)相对于第二磁性传感器(202)的物理取向使得由磁场检测传感器检测到的外部磁场会导致第一检测层(220)对第一基准层(210)的相对磁性取向与第二检测层(222)对第二基准层(212)的相对磁性取向相反。可以用一个差分放大器检测第一结传感器和第二结传感器的相对磁性取向。 | ||
申请公布号 | CN1487501A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
申请号 | CN03120146.6 | 申请日期 | 2003.03.10 |
申请人 | 惠普公司 | 发明人 | M·沙马;F·佩尔纳 |
分类号 | G11B5/33;G01R33/02 | 主分类号 | G11B5/33 |
代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 肖春京 |
主权项 | 1.一种磁场检测传感器包括:具有第一检测层(220)和第一基准层(210)的第一磁性传感器(200);具有第二检测层(222)和第二基准层(212)的第二磁性传感器(202);第一磁性传感器(200)相对于第二磁性传感器(202)物理地取向成使得由磁场检测传感器检测到的外部磁场会导致第一检测层(220)对第一基准层(210)的相对磁性取向与第二检测层(222)对第二基准层(212)的相对磁性取向相反;以及用来检测第一磁性传感器(200)和第二磁性传感器(202)的相对磁性取向的一个差分放大器。 | ||
地址 | 美国加利福尼亚州 |