| 发明名称 | 一个相变材料存储设备的刷新存储器单元 | ||
| 摘要 | 一种技术，包含确定一个相变材料存储器单元的存储级别是否在离一个电阻阈值的一个预定余量范围之内。响应于该确定，该单元被有选择地写入。 | ||
| 申请公布号 | CN1487529A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN03132818.0 | 申请日期 | 2003.07.21 |
| 申请人 | 英特尔公司 | 发明人 | W·D·帕金森;T·A·劳里 |
| 分类号 | G11C13/04;G06F12/00 | 主分类号 | G11C13/04 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;梁永 |
| 主权项 | 1.一种方法，包含：确定一个相变材料存储器单元的存储级别是否在离一个电阻阈值级别的预定余量范围之内；以及响应于该确定，有选择地写入到该单元中。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||