发明名称 |
SiO<SUB>2</SUB>衬底上Nd:YVO<SUB>4</SUB>光波导薄膜器件及制备 |
摘要 |
SiO<SUB>2</SUB>衬底上Nd:YVO<SUB>4</SUB>光波导薄膜器件,SiO<SUB>2</SUB>衬底上生长Nd:YVO<SUB>4</SUB>光波导薄膜,薄膜沿晶轴取向,用807-810nm的泵浦光激发薄膜时能得到1.064和1.342μm的红外光。其制备是使用脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO<SUB>2</SUB>)衬底上制备的Nd:YVO<SUB>4</SUB>光波导薄膜,以掺杂的YVO<SUB>4</SUB>晶体或陶瓷为靶材(包括Er:YVO<SUB>4</SUB>、Tm:YVO<SUB>4</SUB>等),通过脉冲激光沉积技术(PLD)在玻璃(SiO<SUB>2</SUB>)衬底上制备的光波导薄膜;生长的温度范围:700-800℃。本发明在玻璃衬底上成功实现了a轴取向Nd:YVO<SUB>4</SUB>薄膜的生长,所使用的PLD生长工艺比较成熟,方法简单易行,具有很强的可操作性。 |
申请公布号 |
CN1487636A |
申请公布日期 |
2004.04.07 |
申请号 |
CN03152810.4 |
申请日期 |
2003.08.22 |
申请人 |
南京大学 |
发明人 |
李锟;祝世宁;王飞燕;朱永元;闵乃本 |
分类号 |
H01S5/20;H01L21/02;C23C14/08;C23C14/24 |
主分类号 |
H01S5/20 |
代理机构 |
南京知识律师事务所 |
代理人 |
陈建和 |
主权项 |
1、SiO2衬底上Nd∶YVO4光波导薄膜器件,其特征SiO2衬底上生长Nd∶YVO4光波导薄膜,薄膜沿晶轴取向,用807-810nm的泵浦光激发薄膜时能得到1.064和1.342μm的红外光。 |
地址 |
210093江苏省南京市汉口路22号 |