发明名称 |
Nadeltransistor mit einem Halbleiterkoerper aus einem Germaniumkristall und Verfahren zum Herstellen |
摘要 |
|
申请公布号 |
DE1155861(B) |
申请公布日期 |
1963.10.17 |
申请号 |
DE1957E013461 |
申请日期 |
1957.01.02 |
申请人 |
EGYESUELT IZZOLAMPA ES VILLAMOSSAGI RESZVENYTARSASAG |
发明人 |
BAN DIPL.-ING. TAMAS;BODO DIPL.-ING. ZALAN;SZEP DR. IVAN |
分类号 |
H01L21/00;H01L21/24;H01L29/00;H01L29/72 |
主分类号 |
H01L21/00 |
代理机构 |
|
代理人 |
|
主权项 |
|
地址 |
|