| 发明名称 | 非直角MRAM组件 | ||
| 摘要 | 一种磁性随机存取内存(100)与其制造方法，其具有与位线(122)成非直角的字符线(112)，其结果为较低的电流与电力消耗。 | ||
| 申请公布号 | CN1488146A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN02804075.9 | 申请日期 | 2002.01.24 |
| 申请人 | 因芬尼昂技术北美公司 | 发明人 | H·霍恩格斯米德 |
| 分类号 | G11C11/16 | 主分类号 | G11C11/16 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 程天正;王勇 |
| 主权项 | 1.一种半导体内存装置，系包含：至少一第一导线；至少一第一内存储存胞元，系设置在该第一导线之上，该第一内存储存胞元具有依据一星状曲线之材料特性；以及至少一第二导线，系设置在该第一内存储存胞元之上，其中该第二导线系与该第一导线成非直角的方式而设置。 | ||
| 地址 | 美国加利福尼亚州 | ||