| 发明名称 | p型GaAs基板ZnSe系pin光电二极管及p型GaAs基板ZnSe系雪崩光电二极管 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种对蓝色－紫色－近紫外光灵敏的、暗电流低的、可靠性高的ZnSe系光电二极管，由p型单晶GaAs基板；在p型单晶GaAs基板上外延生长的、通过反复叠层p型ZnSe和p型ZnTe使禁带宽度连续变化的超晶格；在超晶格上外延生长的p型Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>S<SUB>y</SUB>Se<SUB>1－y</SUB>层；在p型Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>S<SUB>y</SUB>Se<SUB>1－y</SUB>层上外延生长的i型Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>S<SUB>y</SUB>Se<SUB>1－y</SUB>层；在i型Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>S<SUB>y</SUB>Se<SUB>1－y</SUB>层上外延生长的n型Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>S<SUB>y</SUB>Se<SUB>1－y</SUB>层；在n型Zn<SUB>1－x</SUB>Mg<SUB>x</SUB>S<SUB>y</SUB>Se<SUB>1－y</SUB>层上形成的n金属电极；以及在p型单晶GaAs基板底面形成的p金属电极构成。 | ||
| 申请公布号 | CN1487601A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN03155310.9 | 申请日期 | 2003.08.26 |
| 申请人 | 住友电气工业株式会社 | 发明人 | 安东孝止;阿部友纪;中村孝夫 |
| 分类号 | H01L31/10;H01L31/0256;G01J1/02 | 主分类号 | H01L31/10 |
| 代理机构 | 中科专利商标代理有限责任公司 | 代理人 | 李香兰 |
| 主权项 | 1.一种p型GaAs基板ZnSe系pin光电二极管，其特征在于，由p型单晶GaAs基板；在p型单晶GaAs基板上外延生长的、通过反复叠层p型ZnSe和p型ZnTe使禁带宽度阶段性变化的超晶格；直接在超晶格上或在超晶格上设置的p型ZnSe过渡层上外延生长的p型Zn1-xMgxSySe1-y层(0≤x≤0.8、0≤y≤0.8)；在p型Zn1-xMgxSySe1-y层上外延生长的i型Zn1-xMgxSySe1-y层(0≤x≤0.8、0≤y≤0.8)；在i型Zn1-xMgxSySe1-y层上外延生长的n型Zn1-xMgxSySe1-y层(0≤x≤0.8、0≤y≤0.8)；在n型Zn1-xMgxSySe1-y层上形成的n金属电极；以及在p型单晶GaAs基板底面形成的p金属电极构成，如此外加反偏压得到对应入射光的光电流。 | ||
| 地址 | 日本大阪府 | ||