发明名称 | 固态图像拾取器件及其制造方法 | ||
摘要 | 本发明公开一种固态图像拾取器件及其制造方法,其在其中设置有光电二极管、读取电路(n型区(750)和n+型(760))等的外延衬底(710)的第一表面(前面)上具有布线层(720),且在第二表面(背面)具有受光平面,光电二极管和光电二极管周围的P型阱区(740)设置在未到达衬底背面(受光表面)的层结构中,且在衬底(710)内形成电场,以将自衬底背面(受光表面)进入的电子适当地引导至光电二极管。通过在外延衬底(710)的深度方向设置浓度梯度来获得该电场。另外,通过设置用于馈送电流的背面电极(810)或(840)可以获得该电场。 | ||
申请公布号 | CN1487589A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
申请号 | CN03155016.9 | 申请日期 | 2003.05.20 |
申请人 | 索尼公司 | 发明人 | 马渕圭司 |
分类号 | H01L27/14;H04N5/335 | 主分类号 | H01L27/14 |
代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 李晓舒;魏晓刚 |
主权项 | 1.一种固态图像拾取器件,包括:包括图像拾取像素单元的半导体衬底,所述像素单元具有呈二维阵列的多个像素,每个像素包括光电转换器件和读取电路;通过在所述半导体衬底的第一表面上层叠包括用于驱动所述图像拾取像素单元的信号线的多层布线所形成的布线层,所述半导体衬底的第二表面是用于所述光电转换器件的受光平面;以及电场发生装置,用于在所述半导体衬底的深度方向,在所述半导体衬底中产生电场,从而将自所述半导体衬底的受光平面进入的光电子引导至光电转换器件。 | ||
地址 | 日本东京都 |