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发明名称 BIPOLAR TRANSISTOR WITH RAISED EXTRINSIC BASE FABRICATED IN AN INTEGRATED BICMOS CIRCUIT
摘要
申请公布号 EP1405341(A2) 申请公布日期 2004.04.07
申请号 EP20020754739 申请日期 2002.06.04
申请人 INTERNATIONAL BUSINESS MACHINES CORPORATION;COMPAGNIE IBM FRANCE 发明人 AHLGREN, DAVID, C.;FREEMAN, GREGORY, G.;HUANG, FENG, YI;TICKNOR, ADAM, T.
分类号 H01L21/331;H01L21/8222;H01L21/8248;H01L21/8249;H01L27/06;H01L29/737;(IPC1-7):H01L21/824 主分类号 H01L21/331
代理机构 代理人
主权项
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