一种高频段微波二极管

摘要

一种高频段微波二极管，以P⁺P(或N⁺N)型单晶硅为基底，在所述基底上沉积富氢微晶硅薄膜与单晶硅形成异质结，通过调节富氢微晶硅薄膜的各项参数，可以得到在较高工作温度下正常工作的高频段微波二极管，并且其响应速度快、制作工艺简单、成本低廉。

主权项

1、一种高频段微波二极管，由衬底层、PN结、封装外壳、引脚组成，所述的引脚设置在所述PN结两侧，所述的PN结设置在所述衬底层上方，所述的衬底层设置在封装外壳内部，其特征在于：所述的PN结是异质结，所述的异质结由富氢微晶硅薄膜层与外延层组成，所述的富氢微晶硅薄膜层设置在所述外延层上方，所述的外延层是单晶硅层，所述富氢微晶硅薄膜层中氢含量至少为5×1020原子/cm3。