| 发明名称 | 磁记录介质 | ||
| 摘要 | 提供一种包括磁记录层和支撑该磁记录层的基材。在磁记录层与基材之间设置包括一非金属层的至少两层。垂直磁记录介质使用双层或三层。因此，垂直磁记录层因第三下层具有高垂直磁各向异性能量常数Ku，和因在第三下层下面的第二下层具有很小的交换偶联。因此，直磁记录层可具有良好的热稳定性、高密度记录特征和优良的SNR特征。 | ||
| 申请公布号 | CN1487506A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN03141187.8 | 申请日期 | 2003.06.06 |
| 申请人 | 三星电子株式会社 | 发明人 | 吴薰翔;李丙圭 |
| 分类号 | G11B5/66 | 主分类号 | G11B5/66 |
| 代理机构 | 北京市柳沈律师事务所 | 代理人 | 宋莉;贾静环 |
| 主权项 | 1.一种磁记录介质，包括：磁记录层；和支撑磁记录层的基材，其中在磁记录层与基材之间设置包括非金属下层的至少两层下层。 | ||
| 地址 | 韩国京畿道 | ||