半导体器件制造方法

摘要

在半导体器件层上形成能产生酸的第一抗蚀剂图形。在第一抗蚀剂图形上形成在有酸存在的情况下能发生交联反应的第二抗蚀剂层。然后，通过来自所述第一抗蚀剂的酸的作用在所述第二抗蚀剂层与所述第一抗蚀剂的交界部分形成交联膜。然后去掉所述第二抗蚀剂的未交联部分，形成微细间隔的抗蚀剂图形。利用所述的微细间隔抗蚀剂图形作为掩模刻蚀该半导体器件层，形成微间距或微孔。

主权项

1.一种制造半导体器件的方法，包括以下步骤：在半导体器件层上形成在曝光时产生酸的第一抗蚀剂图形；在所述第一抗蚀剂上形成在有酸存在的情况下发生交联反应的第二抗蚀剂层，所述第二抗蚀剂由水溶性材料构成；通过来自第一抗蚀剂图形形成后残留于图形表面部分的酸的作用，在与所述第一抗蚀剂接触的所述第二抗蚀剂部分形成交联膜；除掉所述第二抗蚀剂的未交联部分，形成抗蚀剂图形；利用所述抗蚀剂图形作掩模刻蚀所述半导体器件。