半导体器件及其制造方法、电光装置及电子设备

摘要

本发明的课题在于提供具备ON电流特性和OFF漏电流特性这双方都优良的晶体管的半导体器件、用该半导体器件保持电光物质的电光装置、使用该电光装置的电子设备、以及半导体器件的制造方法。在晶体管40A中，源区420和漏区430，是对栅电极460自对准地导入了杂质的高浓度区域。在沟道形成区410中，和与漏区430以及源区420毗连的边界区域412、413重叠的部分的栅绝缘膜450的膜厚，比和上述沟道形成区410的沟道长度方向上的部分411重叠的部分的栅绝缘膜450的膜厚更厚。

主权项

1.一种半导体器件，在衬底上已形成了具备可在源区与漏区之间形成沟道的沟道形成区、及中间存在着栅绝缘膜地与该沟道形成区对向的栅电极的晶体管的半导体器件中，其特征在于：在上述沟道形成区中，至少和毗连于上述漏区的边界区域重叠的部分的上述栅绝缘膜的膜厚，比和上述沟道形成区的沟道长度方向上的中央部分重叠的部分的上述栅绝缘膜的膜厚厚。