| 发明名称 | 磁性存储器件和方法 | ||
| 摘要 | 本发明提供一种磁性存储器件和方法。在一个实施例中，本发明的磁性存储器件包括合成铁磁数据、软参考层和隧道层。合成铁磁数据层具有可指向第一取向和第二取向的磁矩。软参考层具有比合成铁磁数据层较低的矫顽力。隧道层具有被合成铁磁数据层和软参考层的磁矩取向影响的电阻特性。 | ||
| 申请公布号 | CN1487524A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN03136044.0 | 申请日期 | 2003.05.15 |
| 申请人 | 惠普开发有限公司 | 发明人 | M·沙马;L·T·特兰 |
| 分类号 | G11C11/15 | 主分类号 | G11C11/15 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 吴立明;王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种磁性存储器件，包括：具有可指向第一取向和第二取向的磁矩(M1)的合成铁磁数据层(12)；具有比所述合成铁磁数据层(12)较低的矫顽力的软参考层(14)；和隧道层(16)，其电阻特性受到所述合成铁磁数据层(12)和所述软参考层(14)的磁矩(M1和M2)取向的影响。 | ||
| 地址 | 美国德克萨斯州 | ||