发明名称 用于旋转刻蚀平面化电子部件的平面化层及其使用方法
摘要 一种电子部件,预期包括衬底层(110),连接到衬底层(110)的电介质层(120),连接到电介质层(120)的阻挡层(130),连接到阻挡层(130)的导电层(140);以及连接到导电层(140)的保护层(150)。一种电子部件的制造方法,包括以下步骤:提供衬底(110),将电介质层(120)连接到衬底(110)上,将阻挡层(130)连接到电介质层(120)上,将导电层(140)连接到阻挡层(130)上,以及将保护层(150)连接到导电层(140)上。一种平面化电子部件的导电表面的方法,包括以下步骤:将保护层(150)引入或连接到导电层(140)上,在导电层(140)上分布保护层(150),固化保护层(150),将刻蚀溶液引入到导电层(140)上,以及将导电表面刻蚀成基本平坦。
申请公布号 CN1488170A 申请公布日期 2004.04.07
申请号 CN02803987.4 申请日期 2002.01.22
申请人 霍尼韦尔国际公司 发明人 S·穆克赫尔吉;J·莱维尔特;D·穆贝尔
分类号 H01L23/48 主分类号 H01L23/48
代理机构 中国专利代理(香港)有限公司 代理人 吴立明;梁永
主权项 1.一种电子部件,包括:衬底层;连接到衬底层的电介质材料;连接到电介质材料的阻挡层;连接到阻挡层的导电层;以及连接到导电层的保护层。
地址 美国新泽西州