| 发明名称 | 具有外延掩埋层的沟槽电容器 | ||
| 摘要 | 一种在沟槽的下部有外延层的沟槽电容器。该外延层可以是掺杂的，以用作掩埋极板。 | ||
| 申请公布号 | CN1145214C | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN99105971.9 | 申请日期 | 1999.04.01 |
| 申请人 | 西门子公司 | 发明人 | M·施雷姆斯 |
| 分类号 | H01L27/108 | 主分类号 | H01L27/108 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 王忠忠 |
| 主权项 | 1.一种半导体集成电路，包括：沟槽电容器，所述沟槽电容器包括：具有下部和上部的沟槽，给沟槽下部的侧壁作衬里且形成所述电容器的掩埋极板的外延层，给沟槽的上部侧壁作衬里的氧化物轴环，通过介层与所述外延层隔开的节点电极。 | ||
| 地址 | 联邦德国慕尼黑 | ||