| 发明名称 | 半导体装置 | ||
| 摘要 | 本发明的半导体装置，在半导体衬底(1)内，有反复重复地构成互相连接形成pn结的n型扩散区(3)和p型扩散区(4)被槽(1a)夹在中间的单元结构，给各单元结构内的n型扩散区(3)的杂质量和p型扩散区(4)的杂质量被设定得不等(不同)。因此，在有槽(1a)的半导体装置中能兼顾良好的耐压和雪崩破坏承受能力。 | ||
| 申请公布号 | CN1488172A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN02803195.4 | 申请日期 | 2002.01.28 |
| 申请人 | 三菱电机株式会社 | 发明人 | 新田哲也;凑忠玄 |
| 分类号 | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/861 | 主分类号 | H01L29/06 |
| 代理机构 | 中国专利代理(香港)有限公司 | 代理人 | 刘宗杰;叶恺东 |
| 主权项 | 1.一种半导体装置，它是在第一导电型的半导体衬底(1)内，有反复重复地构成的以下结构：互相连接形成pn结的第一导电型的第一杂质区(3)和第二导电型的第二杂质区(4)被槽(1a)夹在中间的单元结构，其特征在于：各上述单元结构内的上述第一杂质区(3)的杂质量和上述第二杂质区(4)的杂质量不等。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||