| 发明名称 | 半导体器件及其制造方法 | ||
| 摘要 | 一种具有半导体层的半导体器件，包括：具有比半导体层的半导体组分原子的共价键最小半径大的共价键半径的第一杂质原子；和具有比半导体组分原子的共价键最大半径小的共价键半径的第二杂质原子；其中第一和第二杂质原子被排列在最近邻晶格位置处并且第一和第二杂质原子中的至少一种是电活性的。 | ||
| 申请公布号 | CN1487592A | 申请公布日期 | 2004.04.07 |
| 申请号 | CN03155592.6 | 申请日期 | 2003.08.29 |
| 申请人 | 株式会社东芝 | 发明人 | 山内淳;青木伸俊 |
| 分类号 | H01L29/12;H01L29/772;H01L21/22;H01L21/24 | 主分类号 | H01L29/12 |
| 代理机构 | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 | 代理人 | 王永刚 |
| 主权项 | 1.一种具有半导体层的半导体器件，包括：具有比半导体层的半导体组分原子的共价键最小半径大的共价键半径的第一杂质原子；以及具有比半导体组分原子的共价键最大半径小的共价键半径的第二杂质原子；其中第一和第二杂质原子排列在最近邻晶格位置上，并且第一和第二杂质原子中的至少一种是电活性的。 | ||
| 地址 | 日本东京都 | ||