用于等离子工艺的电极以及制造和使用此电极的方法

摘要

一种用于等离子反应室的硅电极以及一种用所述电极加工半导体基片的方法，在等离子反应室中执行对半导体基片如单晶片的加工。电极(12)是电阻率小于1Ω·cm的电阻率电极。所述电极可以是接合或夹紧到诸如温控板(80)或环(14)的支座上的零缺陷单晶硅或碳化硅电极，如喷淋头电极。喷淋头电极为厚度均匀的圆盘形状，并且，弹性接头可以设置在支撑环和电极之间。所述电极包括直径为0.020－0.030英寸的气体出口(16)。

主权项

1.一种适合安装在等离子反应室中的低电阻率硅电极，所述等离子反应室用于半导体基片加工中，所述电极包括：电阻率小于1Ω-cm的硅电极，所述电极在其一侧上具有RF驱动的或电接地的表面，所述表面在所述电极的使用过程中暴露给等离子反应室中的等离子。