用于晶片背磨的表面保护片及其使用方法

摘要

一种在晶片背磨的一个工艺中所使用的用于半导体晶片的表面保护片，此工艺包括：在设有电路的半导体晶片的表面上形成槽，槽的切割深度小于晶片的厚度；以及对晶片的背面进行研磨从而减小晶片的厚度且最终把晶片分割成独立的芯片，该表面保护片包括衬底和叠加在其上的压敏粘合剂层，该压敏粘合剂层的弹性模量在40℃下至少为1.0×10⁵帕。此表面保护片适用于以高产率生产极薄的IC芯片的工艺。

主权项

1.一种在晶片背磨的一个工艺中所使用的用于半导体晶片的表面保护片，此工艺包括：在设有电路的半导体晶片的表面上形成槽，槽的切割深度小于晶片的厚度；以及对晶片的背面进行研磨从而减小晶片的厚度且最终把晶片分割成独立的芯片，所述表面保护片包括衬底和叠加在其上的压敏粘合剂层，该压敏粘合剂层的弹性模量在40℃下至少为1.0×105帕，所述压敏粘合剂层由能量辐射固化的压敏粘合剂构成。