半导体装置及其制造方法

摘要

一种半导体装置及其制造方法，知肖特基阻障二极体之VF、IR特性为权衡取舍关系，要达成低VF化会有无法避免泄漏电流增大的问题。其解决手段系在肖特基接合领域设置正六角形P＋型半导体领域。由于相互间分隔距离相等，在施加反向电压时从P＋型半导体领域扩大之空乏层，将磊晶层整个埋在里面。亦即，可遮断在肖特基接合界面发生之电流泄漏至阴极侧。即使发生高的泄漏电流也可透过空乏层遮断，因此VF与IR之权衡取舍关系将消除，可达成低VF且不须考量IR。