| 摘要 |
本发明系关于一种具多样性记忆体胞元的半导体记忆体，每一个记忆体胞元包括：–一半导体层(p–井)其被排列于基材(p–基材)上且其半导体表面在较深(10)及较高(12)半导体区域间于以与该基材正交方向具至少一个步阶；–至少一个传导掺杂的较深接触点区域(22、24)形成于该较深半导体区域(10)及一个传导掺杂的较高接触点区域(20)形成于较高半导体区域(12)；–至少一个通道区域，其在该较深(22、24)及较高接触点区域(20)间的该半导体层(p–井)延伸；–至少一个电绝缘捕获层(28)，其被设计用于捕获及发射电荷载体及被排列于与该通道区域相邻的闸极氧化物层(26)；及–至少一个闸电极(32)以控制该通道区域的电传导性，该闸电极(32)区域接着区域地与被排列于该捕获层(28)的控制氧化物层(30)相邻及区域接着区域地与被排列于通道区域的该闸极氧化物层(26)相邻。 |
