发明名称 使用多层氧氮化矽之硬遮罩
摘要 一双层底部抗反射层(BottomAntireflectiveCoating;BARC)/硬遮罩结构,包括一非晶碳(AmorphousCarbon)层(18),以及二个或二个以上相异且独立形成于该非晶碳层上诸如氧氮化矽(SiON)之电浆辅助化学气相沉积(PECVD)材料层(20a、20b)。透过独立的形成多层之PECVD材料,至少部分存在于最底层的PECVD层(20a)的针孔(32、34)由上层的PECVD层(20b)而封闭并因而不会延伸通过所有的PECVD层。结果该最上层的PECVD层(20b)之上表面具有较下层的PECVD层低之针孔密度。此架构减少非晶碳层(18)之参杂物对光阻材料之毒化,及由光阻材料清除化学物质腐蚀该非晶碳层。
申请公布号 TW200405437 申请公布日期 2004.04.01
申请号 TW092125870 申请日期 2003.09.19
申请人 高级微装置公司 发明人 高培远;尤路;黄敬之
分类号 H01L21/205 主分类号 H01L21/205
代理机构 代理人 洪武雄;陈昭诚
主权项
地址 美国