半导体装置之制造方法及半导体装置

摘要

本发明之目的在于提供可缩短矽化锗膜之成膜时间，并使膜厚及膜质保持均匀之半导体装置之制造方法及半导体装置。由设于喷气口7之多数孔导入成膜用气体至分批式CVD成膜装置之处理室2内，使处理室2产生气体之乱流。而在使处理室2内维持常压及准常压区域之压力之状态下，使矽化锗膜磊晶生长于配置在处理室2内之半导体晶圆12上，然后，使变形矽膜磊晶生长于矽化锗膜上，其后，在形成有矽化锗膜及变形矽膜之半导体晶圆12形成半导体元件。