| 摘要 |
制造一种高电阻矽晶圆，其系具优异的吸气(gettring)功能及经济性，且，可在器件制造厂方所实施的电路形成用热处理中，有效地抑制氧施体(donor)的产生。为了将其实现，系对比电阻值为100Ωcm以上且碳浓度为5×10^15～5×10^17atoms／cm^3之掺杂碳的高电阻．高氧浓度矽晶圆实施1100℃以上的高温处理，以使其残留氧浓度以Old–ASTM(美国材料试验协会先前标准)计量时达6.5×10^17atoms／cm^3以上。而，此高温处理是可由如下之处理所替代：要在晶圆表层部位形成DZ层时的OD处理；要去除表层的COP时的高温退火；或在SIMOX晶圆制造过程中，BOX层形成用的高温热处理。 |
