| 摘要 |
本发明的一种单晶，属于藉由单晶拉起法所得到的单晶，其特征为：控制起因于结晶成长时的结晶融液的温度变动而被拉进于单晶中的不均匀条纹的间隔；及一种单晶培养方法，属于藉由单晶拉起法培养单晶的单晶培养方法，其特征为：将单晶培养时成长速度作为Y(mm／min)，将结晶融液的浓度变动周期作为F(min)，将结晶成长界面对于水平面的角度作为θ时，V×F／Sinθ成为一定范围地，控制成长速度及／或温度变动周期而培养单晶。由此，提供一种从与晶圆表面的加工条件不同观点来改善毫微拓朴特性，可切出毫微拓朴特性，特别是测定2mm×2mm四方形的毫微拓朴特性优异的晶圆的单晶，及培养该单晶的单晶培养方法。 |
