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发明名称
半导体装置
摘要
提供可靠性高的半导体装置,另外,提供产品率高的半导体装置。在具备以形成于矽基板的一主面侧之氧化锆或者氧化铪为主构成材料的闸极绝缘膜,及与闸极绝缘膜接触而形成的闸极膜之半导体装置中,使闸极绝缘膜含有使非晶质状态稳定化之添加元素。
申请公布号
TW200405404
申请公布日期
2004.04.01
申请号
TW092121083
申请日期
2003.08.01
申请人
日立制作所股份有限公司;日立国际电气股份有限公司
发明人
岩崎富生;三浦英生
分类号
H01L21/00
主分类号
H01L21/00
代理机构
代理人
林志刚
主权项
地址
日本
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