| 摘要 |
本发明为一种主要由Si–O结合构成之多孔质薄膜的改质方法，是一种将具有1个以上之Si–X–Si结合单位(X是指O、NR、CnH2n或C6H4、R是指CmH2m＋1或C6H5、m为1～6的整数、n为1或2)、且2个以上之Si–A结合单位(A是指H、OH、OCeH2e＋1或卤原子、e为1～6的整数)(同一分子内的A相同或相异均可)之有机矽化合物与该多孔质薄膜接触，是非采用金属催化剂的热处理方法。藉由该改质方法取得之多孔质薄膜，其疏水性和机械强度均相当优异，故可以使用于光机能材料、电子机能材料。尤其非常适用于半导体用材料，可以适用作为半导体装置之层间绝缘膜。 |
