半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置之制造方法，无须将矽层图案化，即可抑制矽层在熔融之状态下形成块状。此半导体装置之制造方法系具备：形成矽层俾接触与熔融矽之接触角为45°以下之第1膜之上面以及下面之至少一方之步骤；以及藉由采用连续振荡电磁波将矽层加热而熔融之后，进行矽层之结晶化之步骤。