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发明名称
以稠处理流体及超音波能量处理半导体元件的方法
摘要
用于在处理期间施加超音波能量,而在处理腔中以稠处理流体处理物件的方法。稠流体可于个别的加压容器中产生,并输送至处理腔,或者可直接产生于处理腔中。处理剂可添加至加压容器、处理腔,或者在稠流体由加压容器输送至处理腔期间添加至稠流体。超音波能量可以固定频率或变频方式连续地产生。或者,超音波能量可间歇地产生。
申请公布号
TW200405459
申请公布日期
2004.04.01
申请号
TW092126028
申请日期
2003.09.19
申请人
气体产品及化学品股份公司
发明人
韦恩 汤马士 麦德蒙;霍斯汉格 沙伯瓦拉;安德鲁 大卫 强生;亚力山大 史瓦兹
分类号
H01L21/306
主分类号
H01L21/306
代理机构
代理人
陈展俊;林圣富
主权项
地址
美国
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