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发明名称
蚀刻液之再生制程、蚀刻制程、以及蚀刻系统
摘要
本发明系揭露一种含磷酸溶液之蚀刻液的再生制程,该蚀刻液已于一蚀刻槽中蚀刻氮化矽薄膜。由于蚀刻造成蚀刻液中含有矽化物,依据此含磷酸溶液之蚀刻液再生制程,将含矽化物之蚀刻液移出蚀刻槽,然后加水至该移出之蚀刻液中以降低其中磷酸浓度至80–50wt.%。降低磷酸浓度导致矽化物的沉淀,而该沉淀之矽化物则自蚀刻液中移除。一种利用该再生制程之蚀刻制程以及一种适于实施该再生制程与蚀刻制程之蚀刻系统也一并于本发明中揭露。
申请公布号
TW200405458
申请公布日期
2004.04.01
申请号
TW092125318
申请日期
2003.09.15
申请人
m FSI股份有限公司
发明人
伊豆田信彦;村田贡
分类号
H01L21/306
主分类号
H01L21/306
代理机构
代理人
洪澄文
主权项
地址
日本
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