发明名称 自动修复动态随机存取记忆体之方法
摘要 一种自动修复动态随机存取记忆体之方法,包括:内部产生一位元图案,并将此图案写入该积体电路之记忆体胞元阵列。此动态随机存取记忆体(DRAM)积体电路系由记忆体胞元阵列读取资料,并比较所读取资料及所产生图案,以决定故障记忆体胞元之位址。此动态随机存取记忆体(DRAM)积体电路设定内部软熔接线以记录故障记忆体胞元之位址,并利用记忆体胞元阵列之冗余记忆体部分取代故障记忆体胞元之记忆体胞元。此自动修复程序会发生于此动态随机存取记忆体(DRAM)积体电路每次功率启动时,藉以容许动态随机存取记忆体(DRAM)积体电路于电子装置在安装时,能适应故障、并降低制造期间之修复需求。
申请公布号 TW200405350 申请公布日期 2004.04.01
申请号 TW092113399 申请日期 2003.05.16
申请人 亿恒科技股份公司 发明人 凯萨琳 博世;强纳生 艾德蒙;珍妮佛法叶 哈卡比;里昂诺 尼诺二世;托史坦 帕特施
分类号 G11C29/00 主分类号 G11C29/00
代理机构 代理人 蔡清福
主权项
地址 德国