静电放电保护元件

摘要

一种用于提供MOSFET之半导体积体电路中之静电放电保护元件，包含一闸流体，及一触发二极体用以触发闸流体至通状态，其中，触发二极体提供一n型阴极高浓度杂质区，一p型阳极高浓度杂质区，及一闸极构制于二高浓度杂质区之间，闸极为与构成半导体积体电路之MOSFET之闸极相同之材料所制，及闸流体设有一p型高浓度杂质区，此形成阴极，及一n型高浓度杂质区，此形成阳极，及p型高浓度杂质区设置于p井中，并连接至一电阻器，及／或n型高浓度杂质区设置于一n井中，并连接至一电阻器。