半导体装置之制造方法

摘要

本发明提供一种半导体装置之制造方法，其系在大致圆柱状之接触孔51a之上端部的开口直径为S1，大致圆柱状之接触孔52a之上端部的开口直径为T1，矽绝缘层11之膜厚为h时，系以满足以下条件式1之方式，形成接触孔51a与接触孔52a。T1／h＜tanθ1＜S1／h(式1)。藉由此种形成方法，可在利用接触孔而形成不同导电型之杂质领域时，省略使用光微影技术之被覆处理步骤。