发明名称 曝光方法、曝光装置及元件制造方法
摘要 为提供一种曝光方法,对于被对应多头处理的装置施行处理过的基板,可防止制程误差累积,且制造高品质的半导体装置。在半导体积体电路生产线1中,每批的各个晶圆系在CMP装置20的第1处理系统21与第2处理系统22中,依序每次研磨二片。表示各晶圆是由第1处理系统21与第2处理系统22中之何者进行处理的晶圆处理资讯,系透过通讯线40传输给包含曝光装置10的后段处理装置。经投入于曝光装置10中之一批的各晶圆,依经CMP装置20之相同处理系统处理过的晶圆、被曝光装置10之二个处理系统11,12中任一相同处理系统进行处理之方式,分配于曝光装置10的复数个处理系统中,并在各处理系统中执行曝光处理。
申请公布号 TW200405421 申请公布日期 2004.04.01
申请号 TW092112517 申请日期 2003.05.08
申请人 尼康股份有限公司 发明人 入江信行
分类号 H01L21/027 主分类号 H01L21/027
代理机构 代理人 林镒珠
主权项
地址 日本