| 主权项 |
1.一种电压量测方法,其特征在于:由杂讯分布之量测单元输出至少一信号,及运算判断该信号之区域分布,藉由不同信号分布取得该电压落点机率曲线者。2.一种液晶显示器驱动晶片量测方法,包括:由量测单元至少输出一値,该値可判断信号实际値;藉量测单元中杂讯分布状况,使信号位置分布于不同区域;将各区域之密度双重积分,求取各区之机率曲线;以内插法于机率曲线重复取样求取电压値;以及将上述电压値经加权平均运算得出正确待测电压値。3.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中,量测单元之输入端更进一步包括有待测单元(DUT,Device Unit Test)以及一稳定电压源。4.如申请专利范围第2项所述之量测方法,其中,量测单元之输入端更进一步包括有待测单元(DUT,Device Unit Test)以及一稳定电压源。5.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中,待测电压値在各区域中之机率,随量测单元之输出値变化。6.如申请专利范围第2项所述之量测方法,其中,待测电压値在各区域中之机率,随量测单元之输出値变化。7.如申请专利范围第2项所述之量测方法,其中,取样点数与量测准确度及可信度成正比。8.如申请专利范围第2项所述之量测方法,其中,机率曲线之预估电压値范围将包括待测电压値。9.如申请专利范围第1项所述之量测方法,其中,可以较少的取样点数达成与国际IEEE1057测试标准相同、或甚至更高之电压待测准确度者。10.如申请专利范围第2项所述之量测方法,其中,可以较少的取样点数达成与国际IEEE1057测试标准相同、或甚至更高之电压待测准确度者。11.如申请专利范围第9项所述之量测方法,其中,准确度之定义为量测结果与模拟结果之差,除以杂讯的均方根値。12.如申请专利范围第10项所述之量测方法,其中,准确度之定义为量测结果与模拟结果之差,除以杂讯的均方根値。13.一种液晶显示器驱动晶片量测装置,系利用比较器电路作为主体架构,其中至少包括有:参考电压源,由数位类比转换器产生,以数位码控制输出位准,并利用R1/R2微调,以产生很小的VR;比较器电路,当待测信号输入此级后,会与和作比较,输出两不规则信号,并将其接至分析器中分析。14.如申请专利范围第13项所述之量测装置,其中,更进一步包括有位移电路在比较器电路以及分析器之间。15.如申请专利范围第13项所述之量测装置,其中,更进一步包括有一待测单元(DUT,Device UnitTest)于比较器电路输入端。16.一种液晶显示器之驱动晶片量测装置,系利用PE卡(Pin Electronics Cards)实现液晶显示器驱动晶片之测试,其特征在于:利用PE卡内之比较器,将驱动电路及负载电路设为高阻抗,由不同信号分布取得该电压落点机率曲线,以内插法于机率曲线重复取样求取电压値以及将上述电压値经加权平均运算得出正确待测电压値。17.一种液晶显示器驱动晶片量测方法,其测试步骤包括有:a.由量测单元输出至少一待测电压値;b.依待测电压値高低位准分布区域;c.对各区之机率密度函数积分,求取各区之机率分布曲线;d.利用内插及查表动作重复取样换算成为相对于参考电压位置;以及e.将上述参考电压加权平均即得准确电压値。18.如申请专利范围第17项所述之量测方法,其中,更包括:a.以Fermi Dirac曲线近似边缘机率,取得一合理机率曲线者。19.如申请专利范围第17项或第18项所述之量测方法,其中,积分后之区间机率随电压实际位置、杂讯、量测区间之至少之一者而变化。20.如申请专利范围第18项所述之量测方法,其中,合理机率P介于:1>P>0。图式简单说明:图一为本发明液晶显示器之驱动晶片量测装置架构图;图二为该量测装置之量测单元之杂讯分布状况图;图三为该量测装置中机率曲线分布状况图;图四为修正前之一机率曲线;图五为费米能阶函数之分布函数;图六为经转换后之一机率曲线;图七为利用机率曲线求取电压値之示意图;图八为验证测试结果所使用的验证结果图;图九为该量测装置为比较器电路之电路图;图十为该量测装置为PE卡之电路架构图;以及图十一为本发明与IEEE1057测试标准比较。 |
