| 主权项 |
1.一种覆晶封装基板,适于与一晶片接合,其中该晶片具有一主动表面,且于该主动表面上具有复数个晶片接点,该些晶片接点上系个别配置有复数个凸块,该基板包括:于该基板配置有对应该些凸块之复数个凹孔,其中于该凸块之熔点温度时,该些凹孔中之任意二凹孔系对准对应之任意二凸块。2.如申请专利范围第1项所述的覆晶封装基板,其中该基板之热膨胀系数大于该晶片之热膨胀系数。3.如申请专利范围第2项所述的覆晶封装基板,其中于一常温时,该些凸块中之任意二凸块之间距系大于对应之二凹孔之间距。4.如申请专利范围第1项所述的覆晶封装基板,其中该些凹孔系呈面阵列排列。5.如申请专利范围第1项所述的覆晶封装基板,其中该些凸块系呈面阵列排列。6.如申请专利范围第1项所述的覆晶封装基板,其中该些凹孔之其中之一凹孔系作为一第一膨胀基准点,该些凸块之其中之一凸块系作为一第二膨胀基准点,并且该基板上之该第一膨胀基准点系对准该晶片之该第二膨胀基准点。7.如申请专利范围第1项所述的覆晶封装基板,其中该第一膨胀基准点系设置于该些凹孔所构成范围之中心。8.如申请专利范围第1项所述的覆晶封装基板,其中该第二膨胀基准点系设置于该些凸块所构成范围之中心。9.如申请专利范围第1项所述的覆晶封装基板,其中该基板具有复数个基板接点,且该基板之该些凹孔暴露出该些基板接点。10.一种覆晶接合制程,适于接合一晶片与一基板,其中该晶片具有一主动表面,且于主动表面上具有复数个晶片接点,该些晶片接点上系个别配置有复数个凸块,并以其中之一凸块作为一第一膨胀基准点,该基板系配置有对应该些凸块之复数个凹孔,并以其中之一凹孔作为一第二膨胀基准点,该覆晶接合制程包括:以该晶片之该第一膨胀基准点对准该基板之该第二膨胀基准点,将该晶片配置于该基板上;以及进行一回焊制程,以使该些凸块与对应之该些凹孔结合,其中于该回焊制程中之凸块之熔点温度时,该些凹孔中之任意二凹孔系对准对应之任意二凸块。11.如申请专利范围第10项所述的覆晶接合制程,其中该基板之热膨胀系数大于该晶片之热膨胀系数。12.如申请专利范围第11项所述的覆晶接合制程,其中于一常温时,该些凸块中之任意二凸块之间距系大于对应之二凹孔之间距。13.如申请专利范围第10项所述的覆晶接合制程,其中该第一膨胀基准点系设置于该些凹孔所构成范围之中心。14.如申请专利范围第10项所述的覆晶接合制程,其中该第二膨胀基准点系设置于该些凸块所构成范围之中心。15.一种晶片,适于与一基板接合,该基板配置有复数个凹孔,该晶片包括:复数个晶片接点,其中该些晶片接点系配置于该晶片之一主动表面上,且该些晶片接点上系个别配置有复数个凸块,其中于该凸块之熔点温度时,该些凸块中之任意二凸块系对准对应之任意二凹孔。16.如申请专利范围第15项所述的晶片,其中该基板之热膨胀系数大于该晶片之热膨胀系数。17.如申请专利范围第16项所述的晶片,其中于一常温时,该些凸块中之任意二凸块之间距系大于对应之二凹孔之间距。18.如申请专利范围第15项所述的晶片,其中该些凹孔系呈面阵列排列。19.如申请专利范围第15项所述的晶片,其中该些凸块系呈面阵列排列。20.如申请专利范围第15项所述的晶片,其中该些凹孔之其中之一凹孔系作为一第一膨胀基准点,该些凸块之其中之一凸块系作为一第二膨胀基准点,并且该基板上之该第一膨胀基准点系对准该晶片之该第二膨胀基准点。21.如申请专利范围第15项所述的晶片,其中该第一膨胀基准点系设置于该些凹孔所构成范围之中心。22.如申请专利范围第15项所述的晶片,其中该第二膨胀基准点系设置于该些凸块所构成范围之中心。23.如申请专利范围第15项所述的晶片,其中该基板具有复数个基板接点,且该基板之该些凹孔暴露出该些基板接点。图式简单说明:第1图至第4图所绘示为使用本发明较佳实施例之一种覆晶封装制程的剖面放大示意图。 |
