| 主权项 |
1.一种有机发光显示器(organic light emitting display)的制作方法,该方法包含有下列步骤:提供一基板(substrate);于该基板表面形成一有机发光显示元件(organiclight emitting display unit),该有机发光显示元件包含有一有机发光层;以及形成一护层结构(passivation structure),覆盖于该有机发光显示元件以及该基板表面;其中该护层结构系由一有机/无机薄膜(organic/inorganic film)所构成,且后形成之部分该有机/无机薄膜具有一较低之有机/无机比例。2.如申请专利范围第1项的方法,其中该方法系利用一化学气相沉积(CVD)制程来形成该护层结构。3.如申请专利范围第2项的方法,其中在进行该化学气相沉积制程时,将逐渐降低反应气体中之有机/无机比例,以使后形成之部分该有机/无机薄膜具有一较低之有机/无机比例。4.如申请专利范围第2项的方法,其中该化学气相沉积制程系为一电浆加强化学气相沉积(PECVD)制程。5.如申请专利范围第4项的方法,其中该化学气相沉积制程中系以三甲基氯矽甲烷(trimethylchlorosilane,TMCS)或六甲基二矽胺(hexamethyldisilazane,HMDS)作为反应气体,并配合一含氧电浆来进行该电浆增强化学气相沉积。6.如申请专利范围第1项的方法,其中该有机/无机薄膜系由一SiOxCyHz化合物、一SiNxCyHz化合物或是一SiOwNxCyHz化合物所构成。7.如申请专利范围第1项的方法,其中先形成之部份该有机/无机薄膜具有一较高之有机/无机比例,以增加该护层结构与该有机发光显示元件间之附着力。8.如申请专利范围第1项的方法,其中后形成之部份该有机/无机薄膜具有一较低之有机/无机比例,以提供一较佳之水气防护能力。9.如申请专利范围第1项的方法,其中该护层结构之厚度约为500至5000埃(angstrom)。10.如申请专利范围第1项的方法,其中该有机/无机薄膜之光穿透率约为40至90%。11.如申请专利范围第10项的方法,其中该有机发光显示元件产生之光线系向上穿过该有机/无机薄膜,以上板发光(top emission)之方式进行显示。12.一种有机发光显示器(organic light emittingdisplay)的制作方法,该方法包含有下列步骤:提供一基板(substrate);于该基板表面形成一有机发光显示元件(organiclight emitting display unit),该有机发光显示元件包含有一有机发光层;以及进行一物理气相沉积(physical vapor deposition)制程,以形成一护层结构(passivation structure)覆盖于该显示元件以及该基板表面;其中该护层结构系由一有机/无机薄膜(organic/inorganic film)所构成,且在进行该物理气相沉积时,将逐渐降低所生成之部分该有机/无机薄膜中之有机/无机比例(organic/inorganic ratio),以使后形成之部分该有机/无机薄膜具有一较低之有机/无机比例。13.如申请专利范围第12项的方法,其中该物理气相沉积制程系为一溅镀制程(sputtering process)。14.如申请专利范围第13项的方法,其中该溅镀制程中所使用之溅镀标靶系为一混合标靶(mix target),该混合标靶表面具有一无机材质以及一有机材质,以形成该有机/无机薄膜。15.如申请专利范围第14项的方法,其中在进行该溅镀制程时,将逐渐降低该混合标靶表面之有机/无机比例(organic/inorganic ratio),以使后形成之部分该有机/无机薄膜具有一较低之有机/无机比例。16.如申请专利范围第14项的方法,其中该混合标靶系由一矽氧化合物(silicon oxide)以及一铁弗龙(PTFE)所构成。17.如申请专利范围第12项的方法,其中该有机/无机薄膜系由一SiOxCyHz化合物、一SiNxCyHz化合物或是一SiOwNxCyHz化合物所构成。18.如申请专利范围第12项的方法,其中先形成之部份该有机/无机薄膜具有一较高之有机/无机比例,以增加该护层结构与该显示元件间之附着力。19.如申请专利范围第12项的方法,其中后形成之部份该有机/无机薄膜具有一较低之有机/无机比例,以提供一较佳之水气防护能力。20.如申请专利范围第12项的方法,其中该护层结构之厚度约为500至5000埃(angstrom)。21.如申请专利范围第12项的方法,其中该有机/无机薄膜之光穿透率约为40至90%。22.如申请专利范围第21项的方法,其中该有机发光显示元件产生之光线系向上穿过该有机/无机薄膜,以上板发光(top emission)之方式进行显示。图式简单说明:图一为习知封装保护结构的剖面示意图。图二为根据本发明较佳实施例之显示器剖面示意图。图三为图二中显示器之局部放大图。图四为一混合标靶的示意图。 |
