| 主权项 |
1.一种光资料储存装置,其包括:一基板,其具有相背的第一表面和第二表面;一第一金属/合金层,其覆盖该基板第一表面,其中该第一金属/合金层包括锡、锑及一从铟、锗、铝、和锌组成之群组中选出的元素;及一第一介电层,其覆盖该第一金属/合金层,其中该第一介电层包括氮氧化矽,其中该第一金属/合金层定位在该基板与该第一介电层之间。2.如申请专利范围第1项之光资料储存装置,其更包括:一第二金属/合金层,其覆盖该基板第二表面,其中该第二金属/合金层包括锡、锑及一从铟、锗、铝、和锌组成之群组中选出的元素;及一第二介电层,其覆盖该第二金属/合金层,其中该第二介电层包括氮氧化矽,其中该第二金属/合金层定位在该基板与该第二介电层之间。3.如申请专利范围第1项之光资料储存装置,其中该第一金属/合金层具有介于40毫微米和125毫微米之间之横断面厚度。4.如申请专利范围第1项之光资料储存装置,其中该第一介电层具有介于20毫微米和120毫微米之间之横断面厚度。5.如申请专利范围第1项之光资料储存装置,其中该第一介电层之横断面厚度约为60毫微米且该第一金属/合金层之横断面厚度约为85毫微米。6.如申请专利范围第1项之光资料储存装置,其中该基板包括一刚性材料。7.如申请专利范围第1项之光资料储存装置,其中该金属/合金层包括Sb70Sn15In15。8.如申请专利范围第1项之光资料储存装置,其中该第一金属/合金层由一溅镀技术形成。9.如申请专利范围第1项之光资料储存装置,其中该第一金属/合金层由一蒸气沈积技术形成。10.如申请专利范围第1项之光资料储存装置,其中该第一介电层之折射系数的实部介于1.4与2.0之间。11.如申请专利范围第1项之光资料储存装置,其中该基板第一表面有开槽,其中该第一表面之沟槽定义隆起表面部分、凹下表面部分,及在此二部分间之侧壁。12.如申请专利范围第1项之光资料储存装置,其中该第一金属/合金层包括一开槽表面,其中该第一金属/合金层之沟槽定义隆起表面部分、凹下表面部分,及在此二部分间之侧壁,其中该等隆起表面部分构形为用来储存光资料。13.一种光资料储存装置之制造方法,其包括:形成一第一金属/合金层覆盖一基板之一第一表面,其中该第一金属/合金层包括锡、锑及一从铟、锗、铝、和锌组成之群组中选出的元素;及形成一第一介电层覆盖该第一金属/合金层,其中该第一介电层包括氮氧化矽,其中该第一金属/合金层定位在该基板与该第一介电层之间。14.如申请专利第13项之方法,其更包括:形成一第二金属/合金层覆盖一基板之一第二表面,其中该第二金属/合金层包括锡、锑及一从铟、锗、铝、和锌组成之群组中选出的元素;及形成一第二介电层覆盖该第二金属/合金层,其中该第二介电层包括氮氧化矽,其中该第二金属/合金层定位在该基板与该第二介电层之间。15.如申请专利范围第13项之方法,其中该第一金属/合金层具有介于40毫微米和125毫微米之间之横断面厚度。16.如申请专利范围第13项之方法,其中该第一介电层具有介于20毫微米和120毫微米之间之横断面厚度。17.如申请专利范围第13项之方法,其中该基板包括一刚性材料。18.如申请专利范围第13项之方法,其中该金属/合金层包括Sb70Sn15In15。19.如申请专利范围第13项之方法,其中该第一金属/合金层由一溅镀技术形成。20.如申请专利范围第13项之方法,其中该第一介电层之折射系数的实部介于1.4与2.0之间。21.一种光资料储存装置,其包括:一基板,其具有相背的第一表面和第二表面;一第一金属/合金层,其覆盖该基板第一表面,其中该第一金属/合金层包括锡、锑和铟;及一第一介电层,其覆盖该第一金属/合金层,其中该第一介电层包括氮氧化矽,其中该第一金属/合金层定位在该基板与该第一介电层之间。图式简单说明:第一图为一运用本发明之单面型光资料储存碟片的剖面图;第二图为一运用本发明之双面型光资料储存碟片的剖面图;第三图为第一图所示光资料储存碟片之一透视图;第四图绘出从第一图所示光资料储存碟片读取光资料之作业方式;第五图A绘出在SiOxNy和SiOx介电层之反应溅镀成形过程中该SiOxNy和SiOx介电层之折射系数的实部(realpart)n如何随气体流率之变动而异;第五图B绘出该SiOxNy和SiOx介电层之反射率如何随该SiOxNy和SiOx介电层之折射系数的实部n之变动而异;第六图A为一曲线图,其以介电层厚度之一函数绘出第一图所示光资料储存碟片之相变层之非晶态区的反射率;第六图B为一曲线图,其以介电层厚度之一函数绘出第一图所示光资料储存碟片之相变层的归一化对比度;第六图C为一曲线图,其以介电层厚度之一函数绘出CNR;第七图为一曲线图,其以氮含量之一函数绘出第一图所示介电层之折射系数的实部。 |
