| 主权项 |
1.一种氟矽玻璃(fluorinated silicate glass, FSG)层表面处理的方法,该方法包含有下列步骤:于一半导体晶片上沈积一氟矽玻璃层;现场(in-situ)氧化该氟矽玻璃层之一上表面,以形成一预定厚度之矽氧层;于该矽氧层上涂布一光阻层;曝光(exposing)该光阻层,以于该光阻层中形成一预定潜在(latent)图案;以及显影(developing)该光阻层,以去除该预定潜在图案之该光阻层,暴露出相对于该预定潜在图案下方之该矽氧层。2.如申请专利范围第1项之方法,其中该矽氧层的厚度系大于100埃(angstrom)。3.如申请专利范围第1项之方法,其中氧化该氟矽玻璃层的方法系利用一含氧电浆。4.如申请专利范围第3项之方法,其中该含氧电浆系利用氧化亚氮(nitrous oxide,N2O)、氧气、一氧化碳(CO)、或二氧化碳作为氧来源气体。5.如申请专利范围第3项之方法,其中该含氧电浆的操作条件包含有:(1).电浆压力:介于0.1至10托耳(Torr);(2).电浆功率:介于0.5至10瓦特/平方公分(W/cm2);以及(3).电浆温度:介于250至450℃。6.如申请专利范围第1项之方法,其中该氟矽玻璃层以及该矽氧层系于同一化学气相沈积反应舱(CVD chamber)中形成。7.一种氟矽玻璃(FSG)层表面处理的方法,该方法包含有下列步骤:于一化学气相沈积(CVD)反应舱中,沈积一氟矽玻璃层于一半导体晶片表面;于该CVD反应舱中,现场(in-situ)氧化该氟矽玻璃层之一上表面,以形成一厚度大于100埃之矽氧层;于该矽氧层上涂布一光阻层;曝光(exposing)该光阻层,以于该光阻层中形成一预定潜在(latent)图案;以及显影(developing)该光阻层,以去除该预定潜在图案之该光阻层,暴露出相对于该预定潜在图案下方之该矽氧层。8.如申请专利范围第7项之方法,其中该化学气相沈积(CVD)反应舱系为一电浆加强CVD(PECVD)反应舱。9.如申请专利范围第7项之方法,其中该化学气相沈积(CVD)反应舱系为一高密度电浆加强CVD(HDPCVD)反应舱。10.如申请专利范围第7项之方法,其中氧化该氟矽玻璃层的方法系利用一含氧电浆。11.如申请专利范围第10项之方法,其中该含氧电浆系利用氧化亚氮(nitrous oxide,N2O)、氧气、一氧化碳(CO)、或二氧化碳作为氧来源气体。12.如申请专利范围第10项之方法,其中该含氧电浆的操作条件包含有:(1).电浆压力:介于0.1至10托耳(Torr);(2).电浆功率:介于0.5至10瓦特/平方公分(W/cm2);以及(3).电浆温度:介于250至450℃。13.如申请专利范围第7项之方法,其中该氟矽玻璃层以及该矽氧层所共同测得的介电常数小于3.6。14.如申请专利范围第7项之方法,其中该矽氧层的厚度系介于100至200埃。图式简单说明:图一至图三为习知于氟矽玻璃(FSG)层表面形成定义(patterned)光阻的方法示意图。图四与图五为本发明中于氟矽玻璃(FSG)层表面形成定义(patterned)光阻的方法示意图。图六为氟矽玻璃薄膜表面物质成分分析结果示意图,其中PEFSG表示未经任何处理的氟矽玻璃薄膜,PEFSG(N2O plasma)则表示经过含氧电浆移除表层氟离子后的氟矽玻璃薄膜。 |
