| 主权项 |
1.一种包含具有第一表面及第二表面的核心的结合层材料,其中该核心之厚度为5至200,及包含20%至70%选自以聚合物浸渍之玻璃微纤维、有机纤维或其混合物之非织造补强材料,其中具厚度为2微米至200微米之B-阶段树脂层系覆盖核心第一表面、核心第二表面、或核心第一表面及核心第二表面。2.根据申请专利范围第1项的结合层材料,其中一剥离薄膜覆盖每一B-阶段树脂层。3.根据申请专利范围第1项的结合层材料,其中该核心为C-阶段核心。4.根据申请专利范围第4项的结合层材料,另包含衆多垂直于材料平面之通路。5.根据申请专利范围第4项的结合层材料,其中至少一通路系经导电材料或导体前驱物(conductor precursor)填满。6.根据申请专利范围第1项的结合层材料,其中该非织造补强材料系微纤维玻璃及有机纤维的混合物。7.根据申请专利范围第6项的结合层材料,其中该非织造补强材料包含10至90wt%的微纤维玻璃及10至90wt%选自有机纤维、有机微纤维、有机浆粕及其混合物的第二补强材料。8.根据申请专利范围第6项的结合层材料,其中有机纤维系选自聚(p-伸苯基-2,3-苯并双唑)短纤维,浆粕,微纤维及其混合物。9.根据申请专利范围第1项的结合层材料,另包括衆多具有直径为5至150微米之基本上未损坏之激光烧蚀通路。10.根据申请专利范围第7项的结合层材料,其中至少80%的微纤维玻璃之直径为小于1微米。11.根据申请专利范围第6项的结合层材料,包括5至55wt%的非织造补强材料及45至95wt%选自热塑性聚合物及B-阶段热固性树脂及其混合物的聚合物。12.一种内连接高密度电路的方法,包含下列步骤:(a)形成包含具有第一表面及第二表面的核心的结合层材料,其中该核心的厚度为5微米至200微米,及包含20%至70%选自以聚合物浸渍之玻璃微纤维,有机纤维或其混合物的非织造补强材料;(b)于结合层材料中形成衆多通路;(c)将通路以选自导电胶及导体前驱物之导电材料填满;(d)将该结合层材料置入含有至少一个电路区域的一第一电路元件及含有至少一个电路区域的一第二电路元件之间,使得位于至少一通路内的导电材料接触,至少一个与第一电路元件连结之电路区域及至少一个与第二电路元件连结之电路区域,以形成未硬化多层电路;以及(e)将该未硬化多层电路于压力0至1000Psi下及温度25℃至400℃下硬化,以形成硬化多层电路。13.根据申请专利范围第12项的方法,其中导电材料为可藉硬化活化之导体前驱物。14.根据申请专利范围第12项的方法,其中厚度2微米至200微米之B-阶段树脂层具有覆盖核心第一表面,核心第二表面或核心第一表面及核心第二表面两者。15.根据申请专利范围第14项的方法,其中第一B-阶段的树脂层覆盖核心第一表面,及第二B-阶段的树脂层覆盖核心第二表面,及其中铜剥离膜覆盖每一B-阶段树脂层。16.根据申请专利范围第12项的方法,其中结合层材料的核心为C-阶段核心。17.根据申请专利范围第12项的方法,其中结合层非织造补强材料为微纤维玻璃及有机纤维的混合物。18.根据申请专利范围第17项的方法,其中结合层材料包括5至55wt%的非织造补强材料及45至95wt%选自热塑性聚合物及B-阶段热固性树脂及其混合物的聚合物。19.根据申请专利范围第17项的方法,其中非织造补强材料包括10至90wt%的微纤维玻璃及10至90wt%选自有机纤维,有机微纤维,有机浆粕及其混合物的第二补强材料。20.根据申请专利范围第18项的方法,其中有机纤维系选自聚(p-伸苯基-2,3-苯并双唑)短纤维,浆粕,微纤维及其混合物。21.根据申请专利范围第12项的方法,其中通路为具有直径为0.5至6.0密尔(mils)之基本上未被损坏的微通路。22.一种利用包含具有第一表面及第二表面的核心的结合层材料制成之多层印刷电路板,其中该核心之厚度为5微米至200微米且包括20%至70%(重量百分比)选自以聚合物浸渍之玻璃微纤维,有机纤维及其混合物的非织造补强材料,及其中具厚度为2微米至200微米之B-阶段树脂层系覆盖核心第一表面、核心第二表面、或核心第一表面及核心第二表面。图式简单说明:图1A,1B及1C系本发明结合层片之侧面切开图;以及图2A-2B系利用本发明之结合层导电接合二电路层的方法的步骤之侧面切开图。 |
