| 主权项 |
1.一种防止硼磷析出内介电层表面的方法,该方法至少包含:提供一半导体结构;形成一内介电层在该半导体结构上;掺杂硼离子以及磷离子到该内介电层内,其中该内介电层具有复数个不饱和键(dangling bond);氢气电浆处理该内介电层表面,使得该内介电层内之该复数个不饱和键减少;以及平坦化该内介电层表面。2.如申请专利范围第1项之方法,其中上述形成该内介电层的方法是选自于由电浆促进化学气相沉积法,常压电浆化学气相沉积法以及次大气压电浆化学气相沉积法所组成的族群之中。3.如申请专利范围第1项之方法,其中上述内介电层的材料至少包含硼磷矽玻璃。4.如申请专利范围第3项之方法,其中上述内介电层的材料至少包含硼磷之四乙基矽酸盐。5.如申请专利范围第1项之方法,其中上述平坦化该内介电层表面的方法至少包含一高温回流法。6.一种防止硼磷析出内介电层表面的方法,该方法至少包含:提供具有一底材之一半导体结构,在该底材内有一场氧化层,一通道阻绝层位于该场氧化层下方,一源极与一汲极邻近于该场氧化层,一垫氧化层以及一闸极在该底材上;形成一内介电层在该半导体结构上;掺杂硼离子以及磷离子到该内介电层内,其中该内介电层具有复数个不饱和键;氢气电浆处理该内介电层的表面使得该内介电层之该复数个不饱和键数量减少;以及执行一高温回流步骤于该内介电层表面,使得该内介电层表面平坦化。7.如申请专利范围第6项之方法,其中上述形成该内介电层的方法是选自于由电浆促进化学气相沉积法,常压电浆化学气相沉积法以及次大气压电浆化学气相沉积法所组成的族群之中。8.如申请专利范围第6项之方法,其中上述内介电层的材料至少包含硼磷矽玻璃。9.如申请专利范围第8项之方法,其中上述内介电层的材料至少包含硼磷四乙基矽酸盐。10.一种防止硼磷析出内介电层表面的方法,该方法至少包含:提供具有一底材之一半导体结构,在该底材内有一场氧化层,一通道阻绝层位于该场氧化层下方,一源极与一汲极邻近于该场氧化层,一垫氧化层以及一闸极在该底材上;形成一内介电层在该半导体结构上;掺杂硼离子以及磷离子到该内介电层内,其中该内介电层具有复数个不饱和键(dangling bond);利用氢气电浆处理该内介电层的表面使得该内介电层之该复数个不饱和键数量减少;执行一高温回流步骤于该内介电层表面使得该内介电层表面平坦化;形成一光阻层在该内介电层表面;蚀刻该内介电层;移除该光阻层;形成一黏着层覆盖在该内介电层上;以及形成一金属层在该黏着层上。11.如申请专利范围第10项之方法,其中上述形成该内介电层的方法是选自于由电浆促进化学气相沉积法,常压电浆化学气相沉积法以及次大气压电浆化学气相沉积法所组成的族群之中。12.如申请专利范围第10项之方法,其中上述内介电层的材料至少包含硼磷矽玻璃。13.如申请专利范围第10项之方法,其中上述内介电层的材料至少包含硼磷四乙基矽酸盐。图式简单说明:第一图系根据本发明所揭露的技术的制程流程图;第二图系根据本发明所揭露的技术,形成半导体结构各步骤之截面图;第三图系根据本发明所揭露的技术,利用电浆处理介电层表面时的步骤示意图;第四图系根据本发明所揭露的技术,蚀刻介电层表面之示意图;以及第五图系根据本发明所揭露的技术,金属层沉积在第四图的结构上之截面图。 |
