发明名称 残膜监测装置、研磨装置、半导体元件制造方法以及半导体元件
摘要 为提供能将被研磨物之研磨面全域或广阔区域的研磨残膜状况适切地监测的残膜监测装置。自白色光源404发射之光,以白色扩散反射板403反射且散射,而将夹头所夹住之晶圆Wm研磨面之大致全域,均匀地照明。照射至晶圆Wm而从晶圆Wm反射之光所形成之晶圆Wm全域的明视野像,以摄影透镜402成像于彩色CCD401之摄影面,而以CCD401摄影。处理部405,则依据得自CCD401之彩色摄影资讯,将晶圆Wm之研磨面全域之研磨残膜的有无,作为监测结果输出。
申请公布号 TW200404643 申请公布日期 2004.04.01
申请号 TW092115618 申请日期 2003.06.10
申请人 尼康股份有限公司 发明人 若宫孝一;上田武彦
分类号 B24B49/12;H01L21/304;G01B11/06 主分类号 B24B49/12
代理机构 代理人 林镒珠
主权项
地址 日本