| 主权项 |
1.一种可改善半导体铜沟填能力的多重步骤电化学沉积法(ECD),其步骤包括:(a)提供一表面定义有一沟渠之基底;(b)采用介于2~10mA/cm2之第1电流密度以沈积一第1铜层于该沟渠侧壁及底面;及(c)采用第2电流密度以沈积一第2铜层于上述第1铜层表面,并将该沟渠填满,上述第2电流密度高于上述第1电流密度。2.如申请专利范围第1项所述之可改善半导体铜沟填能力的多重步骤电化学沉积法,其中上述第1铜层的厚度介于50~300埃。3.如申请专利范围第2项所述之可改善半导体铜沟填能力的多重步骤电化学沉积法,其中步骤(b)沈积上述第1铜层的时间介于3~20秒之间。4.如申请专利范围第1项所述之可改善半导体铜沟填能力的多重步骤电化学沉积法,其中上述第2电流密度介于10~30mA/cm2。5.如申请专利范围第4项所述之可改善半导体铜沟填能力的多重步骤电化学沉积法,其中上述第2铜层的厚度介于4000~15000埃之间。6.如申请专利范围第1项所述之可改善半导体铜沟填能力的多重步骤电化学沉积法,其中步骤(b)沈积第1铜层之前更包括形成一扩散阻障层及铜晶种层的步骤。图式简单说明:第1A~1D图为母案之第一实施例的电化学沉积剖面制程。第2A~2E图为母案之第二实施例的电化学沉积剖面制程。第3A~3C图为本追加发明之实施例的铜金属电化学沈积制程剖面图。 |
