| 主权项 |
1.一种半导体元件接触制程,该半导体元件含有在一基底上之第一导电型之基区,该制程包括下列步骤:在该基区表面形成一重掺杂第一导电型之第一浅层;沉积一绝缘层;蚀刻该绝缘层及该第一浅层以分割该第一浅层并形成一接触洞口;高温趋入以加深该第一浅层之纵向深度;于该接触洞口植入一重掺杂第二导电型之第二浅层;以及沉积金属层于该接触洞口以电性连接该第一浅层及第二浅层。2.如申请专利范围第1项之制程,其中形成该第一浅层系使用离子植入。3.如申请专利范围第2项之制程,其中使用离子植入包含斜角度植入。4.如申请专利范围第3项之制程,其中斜角度植入的角度约45度。5.如申请专利范围第1项之制程,其中蚀刻该绝缘层系使用湿蚀刻。6.如申请专利范围第1项之制程,其中蚀刻该第一浅层系使用电浆蚀刻。7.如申请专利范围第6项之制程,其中该电浆蚀刻垂直向下过度蚀刻以蚀刻掉该基区一厚度。8.如申请专利范围第1项之制程,更包括在该高温趋入以前在该第一浅层表面上形成一垫氧化层,以防止在该高温趋入时,该第二浅层之第一导电型杂质扩散至空气中。9.如申请专利范围第8项之制程,其中该形成垫氧化层系利用低温成长一层薄氧化层。10.如申请专利范围第1项之制程,更包括在该沉积绝缘层以后作退火处理。11.如申请专利范围第1项之制程,更包括在该植入第二浅层以后作退火处理。12.如申请专利范围第1项之制程,更包括在该沉积金属层以前毯面蚀刻该第二浅层。13.一种半导体元件接触结构,该半导体元件含有在一基底上之第一导电型之基区,该接触结构包括:一重掺杂第一导电型之第一浅层在该基区上;一绝缘层覆盖该第一浅层;一接触洞口穿过该绝缘层及第一浅层;一重掺杂第二导电型之第二浅层在该基区上;以及一金属层于该接触洞口电性连接该第一浅层及第二浅层;其中该第二浅层对准该接触洞口。14.如申请专利范围第13项之结构,其中该第一浅层具有一深度大于该第二浅层之深度。15.如申请专利范围第13项之结构,其中该第一浅层及第二浅层彼此不重叠。图式简单说明:第一图(a)~(g)系根据习知的N型沟槽式功率金氧半场效应电晶体源极接触制程之示意图;以及第二图(a)~(g)系根据本发明的功率金氧半场效应电晶体源极接触制程之示意图。 |
