| 主权项 |
1.一种最小线宽不均匀性的改善方法,该改善方法系利用一特征光阻群在一薄膜层上定义具有一最小线宽的一特征薄膜群,该特征光阻群包含至少一特征光阻,该最小线宽不均匀性的改善方法至少包含以下步骤:在该特征光阻群的两外侧各形成一伪特征光阻群;蚀刻该薄膜层,在该特征光阻群下方蚀刻出该特征薄膜群以及在该些伪特征光阻群下方分别蚀刻出一伪特征薄膜群;覆盖一保护层于该特征薄膜群之上,该保护层不覆盖于该些伪特征薄膜群之上;蚀刻该些伪特征薄膜群;以及去除该保护层。2.如申请专利范围第1项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该伪特征光阻群与该特征光阻群之间隔距离为该特征光阻之线宽的1至3倍。3.如申请专利范围第1项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中每一该些伪特征光阻群包含至少一伪特征光阻。4.如申请专利范围第3项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中当该伪特征光阻之数目为复数个时,该些相邻的伪特征光阻之间隔距离为该特征光阻之线宽的1至3倍。5.如申请专利范围第3项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该特征光阻与该伪特征光阻之线宽系利用光学近似修正方法修正,使该伪特征光阻之线宽与该特征光阻之线宽相同。6.如申请专利范围第1项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该保护层的材质至少包含光阻。7.如申请专利范围第1项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含矽。8.如申请专利范围第1项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含氧化矽。9.如申请专利范围第1项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含氮化矽。10.如申请专利范围第1项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含金属。11.如申请专利范围第1项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含钼。12.如申请专利范围第1项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含铬。13.如申请专利范围第1项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含矽化钼。14.一种最小线宽不均匀性的改善方法,该改善方法系利用一特征光阻群在一硬遮罩层上定义具有一最小线宽的一特征硬遮罩群,该特征光阻群包含至少一特征光阻,该最小线宽不均匀性的改善方法至少包含以下步骤:在该特征光阻群的两外侧各形成一伪特征光阻群;蚀刻该硬遮罩层,在该特征光阻群下方蚀刻出该特征硬遮罩群以及在该些伪特征光阻群下方分别蚀刻出一伪特征硬遮罩群;覆盖一保护层于该特征硬遮罩群之上,该保护层不覆盖于该些伪特征硬遮罩群之上;蚀刻该些伪特征硬遮罩群;以及去除该保护层。15.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该伪特征光阻群与该特征光阻群之间隔距离为该特征光阻之线宽的1至3倍。16.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中每一该些伪特征光阻群包含至少一伪特征光阻。17.如申请专利范围第16项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中当该伪特征光阻之数目为复数个时,该些相邻的伪特征光阻之间隔距离为该特征光阻之线宽的1至3倍。18.如申请专利范围第16项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该特征光阻与该伪特征光阻之线宽系利用光学近似修正方法修正,使该伪特征光阻之线宽与该特征光阻之线宽相同。19.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该保护层的材质至少包含光阻。20.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含氧化矽。21.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含多晶矽。22.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含单晶矽。23.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含金属。24.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含钼。25.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含铬。26.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含矽化钼。27.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该薄膜层的材质至少包含介电材质。28.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该硬遮罩层的材质至少包含氮化矽。29.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该硬遮罩层的材质至少包含氧氮化矽。30.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该硬遮罩层的材质至少包含非结晶碳。31.如申请专利范围第14项所述之最小线宽不均匀性的改善方法,其中该硬遮罩层的材质至少包含氮化碳。32.一种光罩组合,该光罩组合至少包含:一第一光罩,且该第一光罩上包含至少一第一特征区域以及复数个第二特征区域,其中该些第二特征区域分别位于该第一特征区域的两侧;以及一第二光罩,且该第二光罩上包含至少一第三区域,其中该第三区域之位置系对应于该第一特征区域或该些第二特征区域,且该第三区域之尺寸大于上述所对应之该第一特征区域或该些第二特征区域的尺寸;其中该第一光罩系在一薄膜层上定义一第一光阻层,以形成至少一第一特征薄膜以及复数个第二特征薄膜,该第二光罩系定义一第二光阻层,以保护该第一特征薄膜。33.如申请专利范围第32项所述之光罩组合,其中该第一特征区域与每一该些第二特征区域之间隔距离为该第一特征薄膜之线宽的1至3倍。34.如申请专利范围第32项所述之光罩组合,其中当该第二光阻层之材质为正光阻时,该第三区域之位置系对应于每一该些第二特征区域之位置。35.如申请专利范围第32项所述之光罩组合,其中当该第二光阻层之材质为负光阻时,该第三区域之位置系对应于该第一特征区域之位置。图式简单说明:第1A-1B图是隔离特征的蚀刻过程之示意图。第2A-2B图是密集特征的蚀刻过程之示意图。第3A-3C图系绘示本发明应用在隔离特征的蚀刻过程之一较佳实施例的示意图。第4A-4C图系绘示本发明应用在密集特征的蚀刻过程之一较佳实施例的示意图。第5A-5F图系绘示本发明应用在湿蚀刻过程之一较佳实施例的示意图。第6A-6F图系绘示本发明应用在乾蚀刻过程之一较佳实施例的示意图。第7A-7C图系绘示本发明应用在第3A-3C图之光罩组合的示意图。 |
