蚀刻方法

摘要

在处理容器内，将Si含有有机系材料的上层膜(63)作为光罩，蚀刻形成于基板的表面层(61)上的有机系材料膜的下层膜(64)的方法。在处理容器内作为蚀刻气体供给含有NH3气体与O2气体的混合气体，藉由该蚀刻气体的电浆进行蚀刻。供给蚀刻气体之际，藉由调整O2气体对于NH3气体的流量比，可控制蚀刻的CD移位值。具体而言，将该流量比作成0.5至20％，较理想为作成5至10％，就可得到良好的CD移位值。