于高密度电浆处理室内蚀刻相对于氧化物具有高选择性之氮化矽间隙壁之方法

摘要

一种相对于氧化物具有高选择性之氮化矽蚀刻方法，系于一般所知之高密度电浆处理室中进行，可获得介于15：1至24：1之间的氮化矽对氧化矽的选择比。本发明系提供蚀刻用于次0.25μm元件之氮化矽间隙壁之方法，在蚀刻过程中间隙壁系邻接于暴露的氧化物。所获得之氮化矽间隙壁，系具有圆形顶角及朝向氮化矽间隙壁之底部外缘延伸之延伸尾状物。此方法所使用之一电浆源气体系包含六氟化硫、溴化氢及氮气，或者更可包含氧气。一般来说，蚀刻制程处理室于蚀刻制程中的压力约至少为35mTorr，且基材温度约为20℃或更低。